В нем используется технология U-MOS11-H, разработанная компанией Toshiba, которая обеспечивает сверхнизкое сопротивление при включении, быстрое переключение и улучшенные характеристики электромагнитных помех в импульсных источниках питания. Например, за счет минимизации скачков напряжения, возникающих между стоком и источником во время переключения.

Компания пишет:

“Благодаря использованию технологии U-MOS11-H в TPHR6704RL достигается типичное сопротивление сток-исток (RDS(ON)), равное 0,52Мом при напряжении затвор-исток (VGS), равном 10 В, и максимальное значение RDS (ON), равное 0,67 Мом при напряжении затвор-исток (VGS), равном 10 В. По сравнению с существующим продуктом 40 В (TPHR8504PL), изготовленным с использованием технологии U-MOS IX-H, RDS (ВКЛ.) примерно на 21% ниже.”

“Кроме того, улучшается производительность коммутации нового устройства, при этом типичный общий заряд затвора (Qg) составляет 88 НС, а заряд переключателя затвора (QSW) - 24 Нс, что приводит к снижению коэффициента полезного действия RDS(ВКЛ.) × Qg примерно на 37%, что обеспечивает низкуюоперация с потерями.”

TPHR6704RL имеет номинальный ток стока (ID) до 420 А и тепловое сопротивление канала между корпусами 0,71°C/Вт при 25°C.

Компания Toshiba отмечает, что устройство работает в широком температурном диапазоне с максимальной температурой канала (Tch) 175°C, что позволяет использовать его в сложных промышленных условиях.

MOSFET находится в корпусе SOP Advance (N). Это обеспечивает совместимость с существующими конструкциями SOP Advance, упрощая замену и модернизацию на уровне платы.

Более подробную информацию о TPHR6704RL, включая технические характеристики, вы можете найти на веб-сайте Toshiba.

Ознакомьтесь со всем нашим контентом Toshiba.