Компания Imec продемонстрировала возможность создания шаблонов случайных логических структур с ограниченным шагом с помощью однократной литографии с высоким разрешением NA EUV на базе CAR.

Логические структуры включают в себя линии/пробелы с шагом до 22 нм и переходные отверстия с расстоянием от центра к центру 28 нм.

Это показывает, что технология CAR resist может быть использована для создания единого узорного изображения с высоким уровнем NA EUV на нескольких слоях логических технологических узлов A14/A10.

Результаты были достигнуты в тесном сотрудничестве с ASML, поставщиками материалов imec и ее более широкой экосистемой создания шаблонов.

“Мы показали, что можем расширить возможности автомобильной технологии, добившись результатов, которые были недоступны при использовании одноразовой литографии 0,33NA EUV на основе автомобилей. ”Нанесение рисунка на основе CAR - это хорошо зарекомендовавшая себя технология, которая уже несколько десятилетий служит полупроводниковой промышленности, обеспечивая стабильность и технологичность“, - говорит Герт Ванденберг, вице-президент по исследованиям и разработкам в imec. "Наши данные доказывают, что она остается очень ценной в эпоху литографии с высоким разрешением, обеспечивая наша сильная экосистема партнеров является решающим преимуществом при вступлении в эпоху ангстрема. Это прорывное достижение стало возможным благодаря тесному сотрудничеству с нашими партнерами по экосистеме, в первую очередь благодаря совместной оптимизации автомобильных материалов и технологий литотравления совместно с нашими поставщиками материалов. Это заложило основу для дальнейшей оптимизации, повышения проходимости и повышения производительности АВТОМОБИЛЯ на еще более агрессивных участках”.

В соответствии с новейшим планом развития логических технологий imec, в логический узел A14/A10 предполагается внедрить литографию с высоким разрешением NA EUV, где критически важно добиться надежного формирования рисунка на высоких частотах. Таким образом, это также ключевая технология для европейской пилотной линейки NanoIC, которая проводится на базе imec и ориентирована на создание систем на кристалле, превышающих 2 нм.

Imec, ASML и их партнеры по разработке шаблонов ускоряют внедрение High NA EUV в промышленности, применяя целостный подход, то есть совместно оптимизируя всю экосистему разработки шаблонов. Это включает в себя, среди прочего, проверку новых материалов и процессов резиста, методов травления и т.д., одновременно повышая эффективность существующей технологии на основе химически усиленного резиста (CAR).

На Международной конференции IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC) 2026 года imec и ее поставщики материалов подтвердили возможность создания однослойных конструкций на основе CAR с высоким NA EUV на линейных конструкциях с шагом 28 нм, что превышает предел того, что считалось возможным при использовании подходов на основе CAR. Продемонстрировав многообещающий комбинированный результат на металлизированных конструкциях для электронного тестирования длиной 1,8 м, эта работа заложила основу для дальнейшей оптимизации процессов резекции и травления.

Imec впервые продемонстрировал расширенное использование CAR-резисторов для создания линий/промежутков длиной 22 нм после однократного воздействия высокой NA EUV. Хорошая точность изображения была достигнута при использовании меандровых и разветвленных структур электронного тестирования с шагом 22 нм. Кроме того, можно было продемонстрировать различные логические конструкции из металла с ограниченным шагом и via, которые имеют отношение к проектам со случайной логикой с расширенными узлами: 24-нм схемы SRAM при 26-нм tip-to-tip (T2T), 24-нм структуры размещения и маршрута при 28-нм T2T, а также функции случайной логики via при расстояние от центра до центра составляет 28 нм.

Хорошая точность изображения была достигнута при использовании меандровых и разветвленных структур электронного тестирования с шагом до 22 нм. Кроме того, можно было продемонстрировать различные логические конструкции из металла с ограниченным шагом и via, которые имеют отношение к проектам со случайной логикой с расширенными узлами: 24-нм схемы SRAM при 26-нм tip-to-tip (T2T), 24-нм структуры размещения и маршрута при 28-нм T2T, а также функции случайной логики via при расстояние от центра до центра составляет 28 нм.

Эти результаты позволяют промышленности продолжать использовать CAR в сочетании с литографией с высоким содержанием NA EUV для создания единого рисунка на некоторых критических слоях логических узлов A14/A10, включая слой metal-2, слой via и слой metal-to-diffusion (MD) (слой, который соединяет диффузионные слои источника/стока вплоть до первого металлического слоя).

Ознакомьтесь со всем нашим исследовательским контентом.