Сначала популярные
0
Нет в наличии
TOSHIBA S-AV6 RF VHF MARINE FM POWER AMPLIFIER MODULE.
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC DBS, LMDS, VSAT 6GHz ~ 20GHz 8-SMD (5x5)
Усилитель Avago
Есть в наличии на удаленном складе, срок поставки 2-3 недели
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC ISM 600MHz ~ 1.5GHz 8-DFN (2x2)
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC DBS, LMDS, VSAT 6GHz ~ 20GHz 8-SMD (5x5)
Есть в наличии на удаленном складе, срок поставки 2-3 недели
Заказать
0
Нет в наличии
Trans GP BJT 300 Watts - 50 Volts, 150µs, 5% Radar 890 - 1000 MHz
РЧ транзистор 0910-300M от Microsemi является внутренним согласованным транзистором способным обеспечивать 300 Вт импульсной выходной мощности на радио частоте с шириной импульса 150 мкс, коэффициент заполнения 5% в диапазоне 900-1000 МГц. Этот транзистор с герметичной пайкой специально разработан для радиолокационных станций P-диапазона. Он использует золотую металлизацию и рассеянную балластировку излучателя для обеспечения высокой надежности и исключительной прочности.
Заказать
0
Нет в наличии
6 - 12 GHz GaN Driver Amplifier
TGA2627-SM от Qorvo (TriQuint) нитрид-галлиевый (GaN) предусилитель мощности двухкратного усиления на карбиде кремния (SiC) изготовленный по процессу TQGaN25 0.25 мкм. Рабочий диапазон частот 2-6 ГГц, мощность на выходе 32 дБм, с коэффициентом усиления 18 дБ, 25% КПД. Используемая технология GaN MMIC и керамический QFN корпус представляют собой недорогое решение с такими же характеристиками что и решения с использованием технологии GaN HPA. TGA2627-SM исполняется в корпусе 5х5 с подложкой из нитрида алюминия. Подходит для сопротивления 50 Ом и включает в себя встроенные блокировочные колпачки постоянного тока на обоих радиочастотных портах, что обеспечивает простую системную интеграцию.
Заказать
0
Нет в наличии
2 - 6 GHz GaN Driver Amplifier
TGA2597-SM от Qorvo (TriQuint) нитрид-галлиевый (GaN) предусилитель на карбиде кремния (SiC) изготовленный по процессу TQGaN25 0.25 мкм. Рабочий диапазон частот 2-6 ГГц, мощность на выходе 32 дБм, с коэффициентом усиления 14 дБ, КПД 31%. Используемая технология GaN MMIC и пластиковый корпус представляют собой недорогое решение с такими же характеристиками что и решения с использованием технологии GaN HPA. Также может использоваться в качестве усилителя выходной мощности в архитектурах с меньшей мощностью. TGA2597-SM исполняется в пластиковом QFN корпусе 4х4. Согласован для сопротивления 50 Ом и включает в себя встроенные блокировочные колпачки постоянного тока на обоих радиочастотных портах, что обеспечивает простую системную интеграцию.
Заказать
0
Нет в наличии
0.1 - 3.0 GHz, 10 Watt GaN Power Amplifier
TGA2216-SM от Qorvo (TriQuint) Широкополосный, двухступенчатый Gan SiC усилитель мощности изготовленный по процессу TriQuint GaN 0.25 мкм. Рабочий диапазон частот 0.1-3.0 ГГц, управление сещением 40В, насыщенная мощность на выходе более 10 Вт, с коэффициентом усиления 13 дБ, КПД около 40%. Данный усилитель представлен в недорогом AIN QFN копрусе 5х5 с 32 выводами. Идеально подходит для поддержки как радиолокационных, так и коммуникационных приложений на оборонных и коммерческих рынках, а также для средств РЭБ. Полностью соответствует сопротивлению 50 Ом на обоих радиочастотных портах, что обеспечивает простую системную интеграцию. Блоки постоянного тока требуются на обоих ВЧ-портах, а напряжение стока должно впрыскиваться через выпрямительный чип на выходной РЧ порт.
Заказать
0
Нет в наличии
2 - 18 GHz, 4 Watt GaN Power Amplifier
TGA2214-CP от Qorvo (TriQuint) Широкополосный, корпусировынный усилитель мощности изготовленный по процессу TQGaN15 0.15 мкм GaN на карбиде кремния (SiC). Рабочий диапазон частот 2-18 ГГц генерирует более 4 Вт насыщенной мощности с КПД более 15% и большим усилением сигнала, на более чем 14 дБ во всем рабоечем диапазоне. Данный усилитель предлагается в 10-контактном корпусе с болтовым креплением 5х5мм. Копрус имеет медную основу, тем самым обеспечивая оптимальную термогеруляцию. Идеально подходит для коммерческого и военного применения , где необходимо испольование широкополосных устройств. Оба РЧ порта имеют встроенные конденсаторы постоянного тока и обеспечивают согласованное сопротивление 50 Ом
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC Cellular, PCS, WLAN, WLL 400MHz ~ 6GHz SOT-343, SC70 4-Lead
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC DBS, LMDS, VSAT 6GHz ~ 20GHz 8-SMD (5x5)
Усилитель Avago
Есть в наличии на удаленном складе, срок поставки 2-3 недели
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 3GHz SOT-89-3
Заказать
0
Нет в наличии
0.03 - 2.5 GHz, 10 Watt GaN Power Amplifier
TGA2237-SM от Qorvo (TriQuint) Широкополосный Gan SiC усилитель мощности изготовленный по процессу TriQuint GaN 0.25 мкм. Рабочий диапазон частот 0.03-2.5 ГГц, насыщенная мощность на выходе более 10 Вт, с коэффициентом усиления 13 дБ, КПД более 50%. Данный усилитель представлен в недорогом AIN QFN копрусе 5х5 с 32 выводами. Идеально подходит для поддержки как радиолокационных, так и коммуникационных приложений на оборонных и коммерческих рынках, а также для средств РЭБ. Полностью соответствует сопротивлению 50 Ом на обоих радиочастотных портах, что обеспечивает простую системную интеграцию. Блоки постоянного тока требуются на обоих ВЧ-портах, а напряжение стока должно впрыскиваться через выпрямительный чип на выходной РЧ порт.
Заказать
Заказать
0
Нет в наличии
13.4 - 16.5 GHz, 25 Watt GaN Power Amplifier
TGA2219-CP от Qorvo (TriQuint) представляет собой трехступенчатый нитрид-галлиевый (GaN) усилитель мощности на карбиде кремния (SiC), который работает от 13,4 ГГц до 16,5 ГГц. Он имеет небольшое усиление сигнала более 30 дБ, PAE составляет 31% и обеспечивает насыщенную выходную мощность до 44 дБм. Он требует питания 28 В и потребляет ток 450 мА. Усилитель доступен в 10-жильном болтовом корпусе размером 15 x 15 мм и соответствует требованиям RoHS. Mожет использоваться для связи и радиолокации на коммерческих и военных рынках.
Заказать
0
Нет в наличии
7000 МГц - 12000 МГц RF / MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER
Заказать
0
Нет в наличии
MMW GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
30 кГц - 40 ГГц GaAs MMIC усилитель фирмы MACOM/Mimix имеет коэффициент усиления 15 дБ с показателем шума 4,5 дБ на частоте 26 ГГц. Этот MMIC усилитель использует технологию GaAs PHEMT (Псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов на полуизолирующей подложке арсенида галлия) модельного ряда устройств фирмы MACOM и основан на литографии электронного луча для обеспечения высокой повторяемости и однородности. Чип имеет поверхностную пассивацию для защиты и обеспечения прочной части с задней стороны через отверстия и металлизацию золотом, чтобы обеспечить возможность использования проводящего эпоксидного или эвтектического припоя. XD1008-BD-000V хорошо подходит для микроволновых, миллиметровых, военных, широкополосных и измерительных применений.
Заказать
0
Нет в наличии
The TriQuint AG101-G is a general-purpose gain block that offers good dynamic range and low noise figure in a low-cost surface-mount package. The combination of near-constant OIP3 and low noise figure performance over frequency makes it attractive for both narrowband and broadband applications. The device combines dependable performance with superb quality to maintain MTTF values exceeding 10,000 years at mounting temperatures of +85 °C and is available in the environmentally-friendly lead-free / green / RoHS-compliant SOT-89 package. The AG101-G uses a high reliability GaAs MMIC technology and only requires DC-blocking and bypass capacitors, and an inductive RF choke for operation. Internal matching provides a 50 ohm input / output impedance minimizing the number of required external components. The broadband MMIC amplifier is well suited for various current and next generation wireless technologies such as GSM, CDMA, LTE, and W-CDMA. In addition, the AG101-G will work for other applications within the 60 to 3000 MHz frequency range such as fixed wireless.
Заказать
0
Нет в наличии
Многие производители RF обращаются к нитрид-галлиевым транзисторам (GaN) из-за более высокой мощности. Например, усилители высокомолекулярного транзистора GaN (HEMT) могут быть способны достичь значительно более высокой мощности усиления и выходной мощности, чем полевые транзисторы GaAs на сравнимой частоте. Целевые приложения для этого устройства включают радиолокационные системы и медицинские приложения, такие как онкология. В качестве продолжения этого устройства для спутниковых коммуникаций разрабатываются CEM и Ku-диапазоны GaN HEMT.
Заказать
Заказать