Сначала популярные
0
Нет в наличии
2GHZ TO 20GHZ BROADBAND MMIC AMPLIFIER
Под заказ 6-8 недель, обращайтесь в компанию Радал за коммерческим предложением
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07H3340M
330-400MHz 7W 12.5V PORTABLE/ MOBILE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifiers from Integra Technologies, Inc.
Radar-LDMOS-MPA -- MPAL2731M30
Заказать
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE 68-88MHz 7W 12.5V, 2 Stage Amp. For PORTABLE/MOBILE RADIO
Заказать
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA13H8891MA
889-915MHz 13W 12.5V MOBILE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC Cellular, ISM, PCS 50MHz ~ 4GHz SOT-343
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07M1317M
135-175MHz 6.5W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA30H0608M
68-88MHz 30W 12.5V MOBILE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA07M2127M
215-270MHz 7W 7.2V, 2Stage Amp. For PORTABLE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA03M8087M
806-870MHz 3.6W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
RF Mosfet N-Channel 100V 250mA 30MHz 22dB 300W M177
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC VSAT 3.55GHz ~ 3.9GHz 24-QFN (4x4)
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA30H1317M
135-175MHz 30W 12.5V 2 Stage Amp. For MOBILE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
Многие производители RF обращаются к нитрид-галлиевым транзисторам (GaN) из-за более высокой мощности. Например, усилители высокомолекулярного транзистора GaN (HEMT) могут быть способны достичь значительно более высокой мощности усиления и выходной мощности, чем полевые транзисторы GaAs на сравнимой частоте.TGI8596-50 - это встроенный усилитель мощности GaN HEMT. Он работает в диапазоне от 8,5 до 9,6 ГГц с выходной мощностью 50 Вт. Обычно это X-полосное устройство имеет точку сжатия 3 дБ +47,5 дБм, линейный коэффициент усиления 9,0 дБ и ток стока 4,5 А Целевые приложения для этого устройства включают радиолокационные системы и медицинские приложения, такие как онкология. В качестве продолжения этого устройства для спутниковых коммуникаций разрабатываются CEM и Ku-диапазоны GaN HEMT.
Заказать
0
Нет в наличии
IC AMP 8.5GHz ~ 11GHz GAN HEMT MMIC 440208
CMPA801B025F Усилитель фирмы Cree представляет собой монолитную микроволновую интегральную микросхему (MMIC) на основе нитрида галлия (GaN) с высокой электронной подвижностью (HEMT). Нитрид галлия обладает превосходными свойствами по сравнению с арсенидом галлия или кремнием, включая более высокое напряжение пробоя, более высокую скорость дрейфа насыщенных электронов и более высокую теплопроводность. GaN HEMT структура также обеспечивает большую плотность мощности и более широкую полосу пропускания по сравнению с обычными кремниевыми транзисторами и транзисторами на арсениде галлия. Этот MMIC усилитель доступен в 10-сегментном металлическом / керамическом фланцевом корпусе и имеет оптимальные электрические и тепловые характеристики.
Заказать
0
Нет в наличии
MITSUBISHI RF MOSFET MODULE
RA08H1317M
135-175MHz 8W 12.5V PORTABLE/MOBILE RADIO
Заказать
0
Нет в наличии
RF Amplifier IC General Purpose 300MHz ~ 3GHz SOT-26
Заказать
Заказать